非易失性存储器

(重定向自NVRAM

非易失性存储器(英语:Non-Volatile Memory,缩写:NVM)或非依电性存储器是指当电流关掉后,所存储的资料不会消失的资料存储设备。非易失性存储器中,依存储器内的资料是否能在使用系统时随时改写为标准,可分为三大类产品,即ROMFlash memory和NVRAM。

类型

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非易失性存储器主要有以下类型:

  • ROM(Read-only memory,只读存储器)
    • PROM(Programmable read-only memory,可编程只读存储器)
    • EAROM(Electrically alterable read only memory,电可改写只读存储器)
    • EPROM(Erasable programmable read only memory,可擦可编程只读存储器)
    • EEPROM(Electrically erasable programmable read only memory,电可擦可编程只读存储器)
  • Flash memory(闪存)
  • NVRAM(非易失性随机存储器
    • FRAM(Ferroelectric RAM,铁电随机存取内存)
    • MRAM(Magnetoresistive RAM,磁阻式随机存取内存)
    • 忆阻器存储器
  • 电池(多为锂一次电池)供电的静态随机存取存储器,其缺点是会随着电量耗尽而失效

硬盘光盘磁带虽然也是非易失性贮存设备,但被归类为现行NVM一般特指非机械式之电子类存储器组件。

规格

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类型[1] 2.5" HDD 1" Microdrive Flash Memory Optical Disk Tape MRAM
产品型号 Hitachi Travelstar 5k160 Hitachi Microdrive 3k8 Hynix HY27UH08AG5M Blu Ray HP Ultrium 960 Freescale MR2A16A页面存档备份,存于互联网档案馆
Density(GBit/cm2 20.3 18.4 0.8 3.8 0.047 0.0021
容量(GByte) 160 8 2 50 400 0.004
数据传输速度(Mbit/s) 540 80 23 144 640 436
Access time(ms)[注 1] 11 12 0.025 180 72000 0.035
Power consumption (W)[注 2] 1.8 0.6 0.1 25 20 0.08
尺寸(高x宽x长(cm)) 0.95x7x10 0.5x3x4 0.1x1.2x2 4x15x19 2x10x10 0.1x1x1.8

用途

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闪迪 Cruzer TitaniumU盘的印刷电路板上的Samsung闪存(左)慧荣(Silicon Motion)主控(右)

非易失性存储器已大量用于电子产品,尤其可携带性产品之中(如移动电话数字相机、MP3等等)。

参见

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注释

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  1. ^ Average/typical
  2. ^ Average

参考文献

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  1. ^ A justification for this table can be found here页面存档备份,存于互联网档案馆):