讨论:金属氧化物半导体场效晶体管
 | 金属氧化物半导体场效晶体管曾属优良条目，但已撤销资格。下方条目里程碑的链接中可了解撤销资格的详细原因及改善建议。条目照建议改善而重新符合标准后可再次提名评选。 | |||||||||||||||||||||
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金属氧化物半导体场效晶体管属于维基百科科技主题的基础条目第五级。请勇于更新页面以及改进条目。 本条目页依照页面评级标准评为甲级。 本条目页属于下列维基专题范畴： |
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优良条目重审
编辑金属氧化物半导体场效晶体管（编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志），分类：没有找到，提名人：思源如宁
- (＋)支持：提名人票。全文无一处对于参考资料——思源如宁 2010年9月1日 (三) 13:26 (UTC)
- (＋)支持：同提名人，此外，目前在优良条目重审里，有很多都是因为这种情形才被提报重审！--海藻脑袋～YA！※动员令 2010年9月2日 (四) 09:07 (UTC)
- (＋)支持，有部分无故粗体，不少段落欠缺维基化。—ATRTC 2010年9月2日 (四) 10:25 (UTC)
- (＋)支持，缺乏脚注-VVM (留言) 2010年9月3日 (五) 03:22 (UTC)
- (－)反对，脚注并非唯一来源标示，参考资料亦可支撑条目。－ Enco 安可 酒吧聊天 发表于 2010年9月3日 (五) 13:10 (UTC)
- (：)回应：诚恳的(＆)建议阁下详读优良条目标准在下定论，感谢。--海藻脑袋～YA！※动员令 2010年9月3日 (五) 13:17 (UTC)
- (：)回应：“参考资料亦可支撑条目”这借口仅能用来消极地规避来源质疑，优良条目标准有明确的“引用规范”。即便非优良条目审查，个人都不建议一般写作条目时循此低标模糊引用来源。— WiDE 怀德 留言 2010年9月4日 (六) 10:28 (UTC)
- (：)回应请各位是否有仔细看过此条目内容，优良条目标准：“资讯来源必须可以验证。内容必须令人信服、符合可验证性，并具有高质素的引用连结。必须有引用来源，但内文注释来源并非必须。”该条目内容全面。亦有包括了该主题的大部分主要资讯及观点。对其要求应该较特色条目的为低，并可容许较短的条目与非常广泛的简介。 而且本条目通俗明了，即使是外行人也能看懂，术语亦有有解释；较长的条目也有有摘要性引言，帮助读者了解其内容梗概；叙述亦准确，意涵亦无有争议；行文也 合规范。观点必须为中性。也有包括图像以解释内文。本篇除了未附上来源注脚之外并有些维基化等小瑕疵之外，说真的看不初有什么不符合WP:优良条目标准地方?强烈要求请勿将优良条目视同特色条目评审！-- Enco 安可 酒吧聊天 发表于 2010年9月4日 (六) 13:33 (UTC)
- (＋)支持，理由同意见。— WiDE 怀德 留言 2010年9月4日 (六) 10:32 (UTC)
- (－)反对大量提交。－HW (留言 - 贡献) DC8 2010年9月5日 (日) 03:31 (UTC)
- (＋)支持大量篇幅无脚注。--苹果派.留言 2010年9月5日 (日) 08:31 (UTC)
- (＋)支持如果参考网站和内部链接能更多的话就好了败北王克拉克 (留言) 2010年9月5日 (日) 11:57 (UTC)
- (－)反对，根本是对优良条目的大屠杀。－ArikamaI 决战维基边缘的战士（谢绝废话） 2010年9月5日 (日) 12:42 (UTC)
优良条目重审（第二次）
编辑金属氧化物半导体场效晶体管（编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志），分类：电脑资讯 - 电子学，提名人：CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)
- 投票期：2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC) 至 2012年9月12日 (三) 13:29 (UTC)
- (＋)支持：提名人票。无脚注，且有些语句不通顺。--CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)
- (＋)支持：达不到今日的要求了。--茶壶（留言） 2012年9月5日 (三) 14:13 (UTC)
- (＋)支持：有维护模板-综合征与一万年（留言） 2012年9月5日 (三) 22:33 (UTC)
- (＋)支持：无可查询参考文献--B2322858（留言） 2012年9月6日 (四) 12:59 (UTC)
- (＋)支持：缺乏脚注。--Alexchris（留言） 2012年9月6日 (四) 14:58 (UTC)
- (＋)支持：无脚注必须剔除。-- 豆腐daveduv留言 2012年9月7日 (五) 05:20 (UTC)
撤销：6支持，0反对。--茶壶（留言） 2012年9月12日 (三) 14:39 (UTC)
三个名词修订
编辑对于大陆的简体学术名词来说
场效晶体管应该是 -- 场效应晶体管 (FET)
闸极应该是 -- 栅极 (Gate)
空乏层 其中空乏 应该是 -- 耗尽层（depletion layer）
另外多晶硅空乏不知道指什么，我从未学到过类似多晶硅耗尽的概念，怀疑是衬底耗尽概念的笔误。
因为不敢乱改优良条目，所以把意见放在这里。
--绵羊 07:26 2006年12月15日 (UTC)
我在创建这个条目时，使用的译名皆为台湾惯用的译法 (事实上在台湾，无论是学校或是产业界，都很少用中文称呼这些东西，而惯以英文原名称之，简单又不会引起争议)。若是大陆有其他用法，我认为可以并存。--LeviLee 06:45 2006年12月28日 (UTC)
是否应在在文中使用简称
编辑金属氧化物半导体场效晶体管这个名词实在有点长了，如果每次都写这么长的名字人要疯了的。我觉得本文标题可以保持不变，文章内容应该可以使用“MOSFET”或者“MOS管”两者之一（大陆课本上都是这么用的），可以减轻阅读负担。大家觉得呢？尤其是使用繁体的朋友们。--Alexander Misel（留言） 2014年12月23日 (二) 14:11 (UTC)
外部链接已修改
编辑各位维基人：
我刚刚修改了金属氧化物半导体场效晶体管中的1个外部链接，请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问，或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面，请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改：
- 向 http://www-device.eecs.berkeley.edu/bsim/Files/BSIMCMG/BSIMCMG106.0.0/BSIMCMG106.0.0_TechnicalManual_20120313.pdf 中加入存档链接 https://web.archive.org/web/20140727084407/http://www-device.eecs.berkeley.edu/bsim/Files/BSIMCMG/BSIMCMG106.0.0/BSIMCMG106.0.0_TechnicalManual_20120313.pdf
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