讨论:金属氧化物半导体场效晶体管

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Former good article金属氧化物半导体场效晶体管曾属优良条目,但已撤销资格。下方条目里程碑的链接中可了解撤销资格的详细原因及改善建议。条目照建议改善而重新符合标准后可再次提名评选
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日期事项结果
2006年11月12日优良条目评选入选
2010年9月7日优良条目重审维持
2012年9月12日优良条目重审撤销
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    优良条目评选

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    金属氧化物半导体场效晶体管编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志,分类:没有找到,提名人:思源如宁

    优良条目重审(第二次)

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    金属氧化物半导体场效晶体管编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志,分类:电脑资讯 - 电子学,提名人:CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)回复

    投票期:2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC) 至 2012年9月12日 (三) 13:29 (UTC)
     撤销:6支持,0反对。--茶壶留言2012年9月12日 (三) 14:39 (UTC)回复

    三个名词修订

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    对于大陆的简体学术名词来说
    场效晶体管应该是 -- 场效应晶体管 (FET)
    闸极应该是 -- 栅极 (Gate)
    空乏层 其中空乏 应该是 -- 耗尽层(depletion layer)
    另外多晶硅空乏不知道指什么,我从未学到过类似多晶硅耗尽的概念,怀疑是衬底耗尽概念的笔误。
    因为不敢乱改优良条目,所以把意见放在这里。
    --绵羊 07:26 2006年12月15日 (UTC)

    我在创建这个条目时,使用的译名皆为台湾惯用的译法 (事实上在台湾,无论是学校或是产业界,都很少用中文称呼这些东西,而惯以英文原名称之,简单又不会引起争议)。若是大陆有其他用法,我认为可以并存。--LeviLee 06:45 2006年12月28日 (UTC)

    是否应在在文中使用简称

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    金属氧化物半导体场效晶体管这个名词实在有点长了,如果每次都写这么长的名字人要疯了的。我觉得本文标题可以保持不变,文章内容应该可以使用“MOSFET”或者“MOS管”两者之一(大陆课本上都是这么用的),可以减轻阅读负担。大家觉得呢?尤其是使用繁体的朋友们。--Alexander Misel留言2014年12月23日 (二) 14:11 (UTC)回复

    外部链接已修改

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    各位维基人:

    我刚刚修改了金属氧化物半导体场效晶体管中的1个外部链接,请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问,或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面,请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改:

    有关机器人修正错误的详情请参阅FAQ。

    祝编安。—InternetArchiveBot (报告软件缺陷) 2017年7月24日 (一) 09:06 (UTC)回复

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