相变化记忆体
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相变化记忆体（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位记忆体，是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代快闪记忆体的技术之一。
技术内容
编辑限制
编辑发展状况
编辑Intel在2003年开始进行研发。
目前研究的单位有 Intel，Samsung，Macronix，Advanced Memory Corp.
外部链接
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