二硒化鉬
化合物
二硒化鉬是一種無機化合物，化學式為MoSe
2。它的結構和MoS
2相似。[5]這一類化合物被稱作過渡金屬二硫屬化物，簡稱TMDCs，即過渡金屬與元素周期表上第16族的元素形成的化合物。相比於MoS
2，MoSe
2展現出更好的導電性。[6]
| 二硒化鉬 | |
|---|---|
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| |
| IUPAC名 bis(selanylidene)molybdenum | |
| 別名 | 硒化鉬(IV) |
| 識別 | |
| CAS號 | 12058-18-3 
|
| PubChem | 82894 |
| SMILES |
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| 性質 | |
| 化學式 | MoSe 2 |
| 摩爾質量 | 253.86 g/mol[1] g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 晶體 |
| 密度 | 6.90 g/cm3[1] |
| 熔點 | >1200 °C[1] |
| 能隙 | ~0.85 eV (indirect, bulk) ~1.5 eV (direct, monolayer)[2][3] eV |
| 結構 | |
| 晶體結構 | hP6, 空間群 P6 3/mmc, No 194[4] |
| 晶格常數 | a = 0.3283 nm, c = 1.2918 nm |
| 配位幾何 | Trigonal prismatic (MoIV) Pyramidal (Se2−) |
| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 二氧化鉬 二硫化鉬 二碲化鉬 |
| 其他陽離子 | 二硒化鎢 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
製備
編輯二硒化鉬可由單質的化合反應得到。
參考文獻
編輯- ^ 1.0 1.1 1.2 Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press. 2011: 4.76. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 （英語）.
- ^ Yun, Won Seok; Han, S. W.; Hong, Soon Cheol; Kim, In Gee; Lee, J. D. Thickness and strain effects on electronic structures of transition metal dichalcogenides: 2H-MX2 semiconductors (M = Mo, W; X = S, Se, Te). Physical Review B. 2012, 85 (3): 033305. Bibcode:2012PhRvB..85c3305Y. doi:10.1103/PhysRevB.85.033305.
- ^ Kioseoglou, G.; Hanbicki, A. T.; Currie, M.; Friedman, A. L.; Jonker, B. T. Optical polarization and intervalley scattering in single layers of MoS2 and MoSe2. Scientific Reports. 2016, 6: 25041. Bibcode:2016NatSR...625041K. PMC 4844971
. PMID 27112195. doi:10.1038/srep25041.
- ^ Agarwal, M. K.; Patel, P. D.; Joshi, R. M. Growth conditions and structural characterization of MoSexTe2−x (0 ⩽ x ⩽ 2) single crystals. Journal of Materials Science Letters. 1986, 5: 66. doi:10.1007/BF01671439.
- ^ Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements. Elsevier. 11 November 1997: 1017–1018. ISBN 978-0-08-050109-3.
- ^ Eftekhari, Ali. Molybdenum Diselenide (MoSe
2) for Energy Storage, Catalysis, and Optoelectronics. Applied Materials Today. 2017, 8: 1–16. doi:10.1016/j.apmt.2017.01.006.
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