二硒化钼
化合物
二硒化钼是一种无机化合物，化学式为MoSe
2。它的结构和MoS
2相似。[5]这一类化合物被称作过渡金属二硫属化物，简称TMDCs，即过渡金属与元素周期表上第16族的元素形成的化合物。相比于MoS
2，MoSe
2展现出更好的导电性。[6]
| 二硒化钼 | |
|---|---|
| |
| |
| IUPAC名 bis(selanylidene)molybdenum | |
| 别名 | 硒化钼(IV) |
| 识别 | |
| CAS号 | 12058-18-3 
|
| PubChem | 82894 |
| SMILES |
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| 性质 | |
| 化学式 | MoSe 2 |
| 摩尔质量 | 253.86 g/mol[1] g·mol⁻¹ |
| 外观 | 晶体 |
| 密度 | 6.90 g/cm3[1] |
| 熔点 | >1200 °C[1] |
| 能隙 | ~0.85 eV (indirect, bulk) ~1.5 eV (direct, monolayer)[2][3] eV |
| 结构 | |
| 晶体结构 | hP6, 空间群 P6 3/mmc, No 194[4] |
| 晶格常数 | a = 0.3283 nm, c = 1.2918 nm |
| 配位几何 | Trigonal prismatic (MoIV) Pyramidal (Se2−) |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 二氧化钼 二硫化钼 二碲化钼 |
| 其他阳离子 | 二硒化钨 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
制备
编辑二硒化钼可由单质的化合反应得到。
参考文献
编辑- ^ 1.0 1.1 1.2 Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press. 2011: 4.76. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 （英语）.
- ^ Yun, Won Seok; Han, S. W.; Hong, Soon Cheol; Kim, In Gee; Lee, J. D. Thickness and strain effects on electronic structures of transition metal dichalcogenides: 2H-MX2 semiconductors (M = Mo, W; X = S, Se, Te). Physical Review B. 2012, 85 (3): 033305. Bibcode:2012PhRvB..85c3305Y. doi:10.1103/PhysRevB.85.033305.
- ^ Kioseoglou, G.; Hanbicki, A. T.; Currie, M.; Friedman, A. L.; Jonker, B. T. Optical polarization and intervalley scattering in single layers of MoS2 and MoSe2. Scientific Reports. 2016, 6: 25041. Bibcode:2016NatSR...625041K. PMC 4844971
. PMID 27112195. doi:10.1038/srep25041.
- ^ Agarwal, M. K.; Patel, P. D.; Joshi, R. M. Growth conditions and structural characterization of MoSexTe2−x (0 ⩽ x ⩽ 2) single crystals. Journal of Materials Science Letters. 1986, 5: 66. doi:10.1007/BF01671439.
- ^ Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements. Elsevier. 11 November 1997: 1017–1018. ISBN 978-0-08-050109-3.
- ^ Eftekhari, Ali. Molybdenum Diselenide (MoSe
2) for Energy Storage, Catalysis, and Optoelectronics. Applied Materials Today. 2017, 8: 1–16. doi:10.1016/j.apmt.2017.01.006.
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