施敏
施敏（1936年3月21日—2023年11月6日[注 1][2]），号福佑[3]，江苏吴江[注 2]震泽人[4]，生于南京[5]，知名半导体学者，中央研究院院士，曾任职于美国贝尔实验室与国立交通大学电子工程系教授、国立阳明交通大学与国立台湾科技大学的荣誉讲座教授、及美国史丹福大学电机系顾问教授。他与姜大元发明并实作了第一个非挥发性记忆体（non-volatile semiconductor memory，NVSM）[6][7]。电机电子工程师学会（IEEE）会士[8]、尊荣会员。
| 施敏 | |
|---|---|
| 出生 | 1936年3月21日 中华民国南京市 |
| 逝世 | 2023年11月6日（87岁）[注 1] 美国 |
| 国籍 | 中华民国、 美国[1] |
| 别名 | 施福佑、Simon Sze |
| 母校 | 国立台湾大学 华盛顿大学 史丹福大学 |
| 知名于 | 非挥发性记忆体，快闪记忆体 |
| 伴侣 | 王令仪 |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 物理学 |
| 机构 | 国立阳明交通大学电子工程学系所 |
| 博士导师 | John Moll |
| 博士生 | 张俊彦 |
生平
编辑施敏的父亲施家福是留学法国的矿冶专家，因被调任为台湾金铜矿务局[注 3]局长，施敏全家于1948年12月迁居台湾[4]。1957年，施敏毕业于国立台湾大学电机工程学系，之后至美国留学。1960年，取得华盛顿大学硕士学位。1963年，取得史丹福大学电机博士学位[注 4]。毕业后，随即进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。
1967年5月，与韩裔美国人的姜大元在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）发表第一篇关于非挥发性记忆体的论文“浮闸非挥发性半导体记忆体细胞元件”[6][7]，随后由贝尔实验室取得专利。在此年开始，撰写《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）[9]。1969年，《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，成为工程及应用科学领域最畅销的教科书[4]。
1968年，回台湾于国立交通大学担任董浩云讲座教授一年。并创办台湾第一家半导体公司“环宇电子”[注 5][10]。
1976年，应经济部长孙运璿之邀，为当时经济部发展积体电路计画工作小组成员之一，自述“当时这个小组给孙运璿的建议是，台湾没有地下资源、矿产稀少，唯一可以好好发展的资源就是脑力。半导体绝对是最新的高科技，未来发展前景看好，建议台湾应该要发展ＩＣ产业。”，力荐孙运璿推动半导体业。[11][12]
1977年获选电机电子工程师学会（IEEE）会士[13]，1989年自贝尔实验室退休后，1990年开始于国立交通大学电子工程系任教[14]。
1991年，获选IEEEJ J Ebers奖[15][8]。
1994年，当选中华民国中央研究院院士（数理组）。1995年，获选美国国家工程院院士。1998年，获选中国工程院外籍院士[1]。
2010年6月，获赠国立交通大学终身讲座教授。
2014年6月，获赠国立台湾科技大学荣誉讲座教授。
2017年12月获IEEE颁赠2017年度“尊荣会员”[16]。
著作
编辑施敏所著的《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）是目前全世界工程及应用科学领域最畅销的书之，一曾被翻译成六种语言，销售超过100万册，被引用次数达两万多次，有“半导体界的圣经”之称。1969年推出第一版，1981年与2006年再版两次。
- Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ISBN 0-471-84290-7; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8; 3rd ed. （页面存档备份，存于互联网档案馆）, with Kwok K. Ng, 2006, ISBN 0-471-14323-5, ISBN 0-470-06830-2, ISBN 978-047-006-830-4.
- Nonvolatile Memories: Materials,Devices and Applications" 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze. Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; ISBN 1-58883-250-3
- Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ISBN 0-471-33372-7; 3ed ed. （页面存档备份，存于互联网档案馆）, with Ming-Kwei Lee . 2012, ISBN 978-047-053-794-7
- VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ISBN 0-07-062686-3; 2nd ed., 1988, ISBN 0-07-062735-5.
- Modern Semiconductor Device Physics, ed. S. M. Sze. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1998, ISBN 0-471-15237-4.
- 中文书
- 上册：施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(上冊). 台湾: 国立交通大学. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁体中文）
- 下册：施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(下冊). 台湾: 国立交通大学. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁体中文）
注释
编辑参考文献
编辑- ^ 1.0 1.1 施敏. 中国工程院院士馆. [2023-11-11]. （原始内容存档于2023-11-11） （中文（中国大陆））.
- ^ 「半導體一代宗師」施敏辭世 享壽87歲. [2023-11-08]. （原始内容存档于2023-11-12）.
- ^ 祖籍苏州的外籍两院院士 （页面存档备份，存于互联网档案馆），苏州教育博物馆
- ^ 4.0 4.1 4.2 王丽娟. 施敏與數位時代的故事. 宏津数位科技. 2013-06-21. ISBN 9789868959002 （中文（台湾））.
- ^ Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE membership directory. Institute of Electrical and Electronics Engineers. 1996. ISBN 978-0-7803-9957-0 （英语）.
- ^ 6.0 6.1 即浮闸非挥发性半导体记忆体，其架构类似常规MOSFET，施敏. Floating Gate (PDF). 第19卷1，奈米通讯. 国家奈米元件实验室，财团法人国家实验研究院. 2012 [2015-09-27]. （原始内容 (pdf)存档于2015-09-27）. 外部链接存在于
|work=(帮助) - ^ 7.0 7.1 D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288–1295.（英文）
- ^ 8.0 8.1 Electron Devices Society J.J. Ebers Award. web page at the IEEE. [2007-01-11]. （原始内容存档于2007-02-28） （英语）.
- ^ 9.0 9.1 9.2 《远见杂志》 第197期 - 前进的动力：施敏要用十奈米终结记忆体 （页面存档备份，存于互联网档案馆），成章瑜，2002年11月号
- ^ YouTube上的“施敏教授”成立环宇电子的由来
- ^ 周品均. 比張忠謀輩分還高！半導體「一代宗師」施敏辭世，享壽87歲 沒有他就沒有智慧型手機 - 今周刊. www.businesstoday.com.tw. 2023-11-08 [2023-11-08]. （原始内容存档于2023-11-21） （中文（台湾））.
- ^ 科技大观园. 最新文章. scitechvista.nat.gov.tw. [2023-11-08]. （原始内容存档于2023-11-08）.
- ^ 院士基本资料，中央研究院
- ^ 施敏(Dr. Simon M. Sze) （页面存档备份，存于互联网档案馆），电子工程学系，国立交通大学
- ^ Past J.J. Ebers Award Winners （页面存档备份，存于互联网档案馆）, web page at the IEEE, accessed 2013-08-27
- ^ 引领全球半导体产业五十年 施敏教授获IEEE颁“尊荣会员” 为台湾首位获奖人 （页面存档备份，存于互联网档案馆），国立交通大学